PDTA123TT,235 与 DTA124GKAT146 区别
| 型号 | PDTA123TT,235 | DTA124GKAT146 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PDTA123TT,235 | A33-DTA124GKAT146 | ||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | DTA124 Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SOT-346(SC-59) | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 250mW | - | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||
| 功率 | - | 1/5W | ||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | - | 22k | ||
| 集电极-射极饱和电压 | -150mV | - | ||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 500µA,10mA | ||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SMT | ||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 56 @ 5mA,5V | ||
| VCBO | -50V | - | ||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||
| VEBO | -5V | - | ||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||
| 集电极连续电流 | -100mA | - | ||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||
| 直流电流增益hFE | 30 | - | ||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -50V | - | ||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 2,990 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTA123TT,235 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA -150mV 30 PNP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DDTA144TCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-23-3 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.2321
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5,440 | 对比 | ||||||||||||
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DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA -300mV 56 200MHz PNP |
￥2.4627
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA115GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDTA113TCA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
300mV 100 SOT-23-3 200mW 50V 100mA 250 MHz PNP |
￥0.207
|
3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA124GKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT PNP |
￥0.2821
|
2,990 | 对比 |
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