PDTA114YU,115 与 DTA114YU3HZGT106 区别
| 型号 | PDTA114YU,115 | DTA114YU3HZGT106 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PDTA114YU,115 | A32-DTA114YU3HZGT106-1 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | PDTA114Y Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-323 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| R2 | - | 47K Ohms | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | 180MHz | 250MHz | ||||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 车规 | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -100mV | -300mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||||||||
| 尺寸 | 2*1.25*0.95 | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | 68 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 15,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTA114YU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
￥0.2903
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTA114YUAFRAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA 车规 PNP |
￥0.1533
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114YU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA 车规 PNP |
￥0.7839
|
15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114YU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW -50V -100mA 车规 PNP |
￥0.5524
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDTA114GE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-523 150mW 50V 100mA PNP |
￥0.1964
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDTA114TUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA PNP |
￥0.1995
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1,734 | 对比 |
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