NX3020NAK,215 与 2SK2009TE85LF 区别
| 型号 | NX3020NAK,215 | 2SK2009TE85LF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NX3020NAK,215-CN | A-2SK2009TE85LF |
| 制造商 | Nexperia | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 200MA TO236AB | MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30 V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.3W | 200mW(Ta) |
| 产品状态 | - | 在售 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 2欧姆 @ 50MA,2.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 70 pF @ 3 V |
| Vgs(th) | - | 1.5V @ 100uA |
| 输出电容 | 2.6pF | - |
| 栅极电压Vgs | 1.2V,20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT23 | SC-59-3 |
| 工作温度 | 150°C | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 0.2A | 200mA(Ta) |
| 输入电容 | 13pF | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 13000mΩ@2.5V,5200mΩ@4.5V,4500mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX3020NAK,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.3W 150°C 1.2V,20V 30V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 350mA(Ta) |
暂无价格 | 2 | 对比 |
|
2SK2009TE85LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 200mW(Ta) SC-59-3 150°C(TJ) 30 V 200mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 350mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 350mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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