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NVTFS5820NLWFTWG  与  RH6L040BGTB1  区别

型号 NVTFS5820NLWFTWG RH6L040BGTB1
唯样编号 A-NVTFS5820NLWFTWG A3-RH6L040BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-WDFN(3.3x3.3) HSMT8
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 65A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.1mΩ@40A,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 59W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVTFS5820NLWFTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 当前型号
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

¥10.3778 

阶梯数 价格
20: ¥10.3778
50: ¥5.8453
55 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

暂无价格 20 对比
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

¥4.3403 

阶梯数 价格
840: ¥4.3403
0 对比

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