NVMFWS2D3P04M8LT1G 与 RS1G201ATTB1 区别
| 型号 | NVMFWS2D3P04M8LT1G | RS1G201ATTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NVMFWS2D3P04M8LT1G | A3-RS1G201ATTB1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 3W(Ta),40W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 6890pF @ 20V |
| FET类型 | - | P 通道 |
| 封装/外壳 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 8-HSOP |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 20A(Ta),78A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NVMFWS2D3P04M8LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NVMFS2D3P04M8LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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