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NVMFS5C670NLAFT3G  与  RS6L120BGTB1  区别

型号 NVMFS5C670NLAFT3G RS6L120BGTB1
唯样编号 A-NVMFS5C670NLAFT3G A3-RS6L120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) HSOP8 (Single)
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 120A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 104W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVMFS5C670NLAFT3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 当前型号
NVMFS5C670NLWFAFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN

暂无价格 0 对比
NVMFS5C670NLWFAFT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN

暂无价格 0 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 对比
RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.4702 

阶梯数 价格
20: ¥11.4702
50: ¥7.0814
100: ¥6.5352
500: ¥6.1711
1,000: ¥6.0945
1,820 对比
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比

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