NTZD3154NT1G 与 DMN2990UDJ-7 区别
| 型号 | NTZD3154NT1G | DMN2990UDJ-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-NTZD3154NT1G | A36-DMN2990UDJ-7 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET - 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装型 SOT-563 | Dual N-Channel 20 V 990 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-963 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-963 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 350mW | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.45A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 27.6pF @ 16V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 990mΩ@100mA,4.5V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 6,441 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-563 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-563 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.33A |
暂无价格 | 9,100 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
990mΩ@100mA,4.5V 350mW -55°C~150°C(TJ) SOT-963 N-Channel 20V 0.45A |
￥1.392
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6,441 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
550mΩ@540mA,4.5V 250mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 N-Channel 20V 0.54A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
990mΩ@100mA,4.5V 350mW -55°C~150°C(TJ) SOT-963 N-Channel 20V 0.45A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2400UV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-563 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.33A |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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