NTTFS5811NLTAG 与 RH6G040BGTB1 区别
| 型号 | NTTFS5811NLTAG | RH6G040BGTB1 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-NTTFS5811NLTAG | A33-RH6G040BGTB1-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | HSMT8 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 59W | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 95A | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 3.6mΩ@40A,10V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,794 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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NTTFS5811NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥8.2661
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥8.0588
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2,794 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥11.7783
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100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RH6G040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C |
￥4.5827
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0 | 对比 |
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