NTTFS4C06NTWG 与 SISA12ADN-T1-GE3 区别
| 型号 | NTTFS4C06NTWG | SISA12ADN-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTTFS4C06NTWG | A3t-SISA12ADN-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | PowerPAK® 1212-8 |
| 连续漏极电流Id | - | 25A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.3 mOhms @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.5W(Ta),28W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V |
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS4C06NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥1.8139
|
13,054 | 对比 | ||||||||||||
|
|
SISA12ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
