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NTR4170NT1G  与  DMG3418L-7  区别

型号 NTR4170NT1G DMG3418L-7
唯样编号 A-NTR4170NT1G A36-DMG3418L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 2.4A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ@4A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 464.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
库存与单价
库存 0 20,663
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5447
200+ :  ¥0.351
1,500+ :  ¥0.3055
3,000+ :  ¥0.2704
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4170NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
PMV45EN2R Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV45EN2_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 5.1A

¥0.7893 

阶梯数 价格
560: ¥0.7893
1,000: ¥0.6167
1,500: ¥0.5055
3,000: ¥0.4395
159,000 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
25,464 对比
DMG3418L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A

¥0.5447 

阶梯数 价格
100: ¥0.5447
200: ¥0.351
1,500: ¥0.3055
3,000: ¥0.2704
20,663 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
14,334 对比
PMV45EN2R Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV45EN2_SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 5.1A

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
12,155 对比

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