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NTR4101PT1G  与  DMP2160U-7  区别

型号 NTR4101PT1G DMP2160U-7
唯样编号 A-NTR4101PT1G-3 A36-DMP2160U-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V 80mΩ@1.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta) 1.4W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 3.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V 627pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 7,966
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5122
200+ :  ¥0.3302
1,500+ :  ¥0.2873
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

暂无价格 0 当前型号
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A

¥0.2376 

阶梯数 价格
220: ¥0.2376
1,500: ¥0.1476
3,000: ¥0.1176
88,812 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
DMP2160U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 80mΩ@1.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.3A

¥0.5122 

阶梯数 价格
100: ¥0.5122
200: ¥0.3302
1,500: ¥0.2873
7,966 对比
SI2305B-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
6,729 对比
NDS332P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
750: ¥0.9262
1,500: ¥0.8415
3,000: ¥0.781
3,887 对比

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