NTR1P02LT1G 与 IRLML6402TRPBF 区别
| 型号 | NTR1P02LT1G | IRLML6402TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTR1P02LT1G | A-IRLML6402TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@3.7A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.3W |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 3.7A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 633pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,440 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SI2301A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | |
|
IRLML6402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W 65mΩ@3.7A,4.5V -55°C~150°C P-Channel 3.7A 20V SOT-23 |
暂无价格 | 3,440 | 对比 |
|
PMV160UP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 0.335W -55°C~150°C ±8V -20V -1.2A |
暂无价格 | 880 | 对比 |
|
|
NTR1P02LT3G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRLML2402TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@930mA,4.5V N-Channel 20V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
