NTNS3A65PZT5G 与 DMP210DUFB4-7 区别
| 型号 | NTNS3A65PZT5G | DMP210DUFB4-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTNS3A65PZT5G | A36-DMP210DUFB4-7-1 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 155mW(Ta) | 350mW(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 | X2-DFN |
| 连续漏极电流Id | 281mA(Ta) | 0.2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 175pF @ 15V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 1.2V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 44pF @ 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 1.3Ω@200mA,4.5V | 5Ω@100mA,4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.1nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTNS3A65PZT5G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 20V 281mA(Ta) ±8V 155mW(Ta) 1.3Ω@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-101,SOT-883 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 350mW(Ta) 5Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 350mW(Ta) 5Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 4 | 对比 |
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DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 350mW(Ta) 5Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 350mW(Ta) 5Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP210DUFB4-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 350mW(Ta) 5Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) X2-DFN P-Channel 20V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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