NTMS4177PR2G 与 IRF7424TRPBF 区别
| 型号 | NTMS4177PR2G | IRF7424TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NTMS4177PR2G | A-IRF7424TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 6.6A（Ta） 840mW（Ta） 8-SOIC | Single P-Channel 30 V 22 mOhm 110 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 13.5mΩ@11A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 11A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4030pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTMS4177PR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOIC-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
￥1.0395
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5,048 | 对比 | ||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
￥0.6641
|
124 | 对比 | ||||||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||||||
|
AO4407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 25V -12A 3.1W 14mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7424TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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