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NTJD4152PT1G  与  DMP2004DWK-7  区别

型号 NTJD4152PT1G DMP2004DWK-7
唯样编号 A-NTJD4152PT1G A-DMP2004DWK-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
工作温度 -55℃~150℃ -65°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -0.88A 0.43A
Rds On(Max)@Id,Vgs 260mΩ@880mA,4.5V 900mΩ@430mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
漏源极电压Vds -20V 20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 175pF @ 16V
Pd-功率耗散(Max) 272mW 250mW
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55℃~150℃ ±12V -20V -0.88A

暂无价格 0 当前型号
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

¥0.6369 

阶梯数 价格
80: ¥0.6369
200: ¥0.5187
1,500: ¥0.4719
3,000: ¥0.4407
5,435 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
PMDT670UPE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT670UPE_SOT666 P-Channel 0.33W 150℃ 8V,-0.8V -20V -0.55A

暂无价格 0 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

暂无价格 0 对比

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