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NTJD4001NT1G  与  QS6K1TR  区别

型号 NTJD4001NT1G QS6K1TR
唯样编号 A-NTJD4001NT1G A36-QS6K1TR
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 TSMT
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 238mΩ@1A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 77pF @ 10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 4.5V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 12,522
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.8
200+ :  ¥0.6158
3,000+ :  ¥0.5886
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
UM6K1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V

¥0.5759 

阶梯数 价格
90: ¥0.5759
200: ¥0.3718
1,500: ¥0.3237
3,000: ¥0.286
35,464 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥0.8 

阶梯数 价格
70: ¥0.8
200: ¥0.6158
3,000: ¥0.5886
12,522 对比
DMN53D0LDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel SOT-363 -55℃~150℃(TJ) 50V 360mA

¥0.5018 

阶梯数 价格
100: ¥0.5018
200: ¥0.325
1,500: ¥0.2821
8,635 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥4.6927 

阶梯数 价格
1: ¥4.6927
100: ¥2.7124
1,500: ¥1.7197
3,000: ¥1.2433
4,458 对比
NX3008NBKS,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

NX3008NBKS_SOT363 N-Channel 0.28W 150℃ 0.9V,8V 30V 0.35A 车规

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3289
1,500: ¥0.286
4,456 对比

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