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NTF3055L108T1G  与  IRLL014NTRPBF  区别

型号 NTF3055L108T1G IRLL014NTRPBF
唯样编号 A-NTF3055L108T1G A-IRLL014NTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 1W(Ta)
栅极电压Vgs - ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223-4 SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.8A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTF3055L108T1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.0791 

阶梯数 价格
50: ¥1.0791
100: ¥0.8294
1,000: ¥0.6908
2,000: ¥0.6292
4,000: ¥0.583
8,330 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,000: ¥0.9779
2,000: ¥0.8888
3,135 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比

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