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NTD2955T4G  与  SPD09P06PL  区别

型号 NTD2955T4G SPD09P06PL
唯样编号 A-NTD2955T4G A-SPD09P06PL
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 450pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Ta) -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 250 毫欧 @ 6.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 55W(Tj) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 750pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,128 对比
IRLR9343PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -40°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD09P06PL Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFR9024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3

暂无价格 0 对比

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