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NTD20P06LT4G  与  IRFR9024NTRPBF  区别

型号 NTD20P06LT4G IRFR9024NTRPBF
唯样编号 A-NTD20P06LT4G A-IRFR9024NTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 P 通道 60 V 15.5A(Ta) 65W(Tc) DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 175mΩ@6.6A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 38W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTD20P06LT4G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252-4 DPAK

暂无价格 0 当前型号
DMP6180SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0494
2,500: ¥0.99
15,053 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A

¥3.179 

阶梯数 价格
20: ¥3.179
100: ¥2.662
1,250: ¥2.409
2,373 对比
IRFR9024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3

暂无价格 2,000 对比
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C

¥1.441 

阶梯数 价格
40: ¥1.441
100: ¥1.111
382 对比

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