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NSVMUN5215DW1T1G  与  DDC114TU-7-F  区别

型号 NSVMUN5215DW1T1G DDC114TU-7-F
唯样编号 A-NSVMUN5215DW1T1G A3-DDC114TU-7-F
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
功率耗散Pd - 200mW
工作温度 - -55°C~150°C
特征频率fT - 250MHz
产品特性 车规 -
集电极连续电流 - -100mA
集电极-射极饱和电压 - -300mV
直流电流增益hFE - 100
集电极-发射极最大电压VCEO - -50V
晶体管类型 - 2PNP
R1 - 10k Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NSVMUN5215DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 车规

暂无价格 0 当前型号
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN

¥0.2461 

阶梯数 价格
210: ¥0.2461
1,500: ¥0.2142
3,000: ¥0.19
7,738 对比
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN

¥1.3989 

阶梯数 价格
1: ¥1.3989
100: ¥0.7932
1,000: ¥0.4854
3,000: ¥0.367
100 对比
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN

暂无价格 80 对比
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz 2PNP

暂无价格 56 对比
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -50V -100mA -300mV 100 250MHz 2PNP

暂无价格 0 对比

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