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NDT3055  与  BSP320SH6433XTMA1  区别

型号 NDT3055 BSP320SH6433XTMA1
唯样编号 A-NDT3055 A-BSP320SH6433XTMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3W -
宽度 3.7mm -
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 180 m0hms -
产品特性 - 车规
引脚数目 3+Tab -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 340pF @ 25V
栅极电压Vgs -20 V、+20 V -
封装/外壳 6.7*3.7*1.7mm TO-261-4,TO-261AA
连续漏极电流Id 4 A -
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 7V
长度 6.7mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 120 毫欧 @ 2.9A,10V
最低工作温度 -65 °C -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
最高工作温度 +150 °C -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1.2V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 30V -
高度 1.7mm -
典型关断延迟时间 37 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 250 pF @ 30 V -
晶体管材料 Si -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta) -
晶体管配置 -
FET类型 增强 N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 20uA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.9A(Tj)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 10 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
正向跨导 6S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDT3055 ON Semiconductor 通用MOSFET

4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C ~ 150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

¥1.089 

阶梯数 价格
50: ¥1.089
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.6974
2,000: ¥0.6336
4,000: ¥0.5874
5,200 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
716 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比
BSP320SH6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP320S H6433_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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