MMUN2214LT1G 与 PDTC114ET,235 区别
| 型号 | MMUN2214LT1G | PDTC114ET,235 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-MMUN2214LT1G | A-PDTC114ET,235-CN |
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | PDTC114E Series 50V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor -SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | - |
| 功率耗散Pd | - | 250mW |
| 功率 | 0.246W | - |
| 特征频率fT | - | 230MHz |
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 10k | - |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | - |
| 集电极-射极饱和电压 | - | 150mV |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| VCBO | - | 50V |
| 工作温度 | - | -65°C~150°C |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - |
| VEBO | - | 10V |
| 尺寸 | - | 2.9*1.3*1 |
| 集电极连续电流 | - | 100mA |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - |
| 直流电流增益hFE | - | 30 |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V |
| 晶体管类型 | NPN | NPN |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 50,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MMUN2214LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 NPN 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN |
￥0.5899
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842,953 | 对比 | ||||||||||
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PDTC114ET,235 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN |
暂无价格 | 50,000 | 对比 | ||||||||||
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DTC114YKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN |
￥0.7455
|
39,074 | 对比 | ||||||||||
|
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PDTC114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN |
￥0.5654
|
17,171 | 对比 | ||||||||||
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DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN |
￥0.0893
|
15,000 | 对比 |
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