首页 > 商品目录 > > > > MMBD4448HW-7-F代替型号比较

MMBD4448HW-7-F  与  MMBD4448H-7  区别

型号 MMBD4448HW-7-F MMBD4448H-7
唯样编号 A-MMBD4448HW-7-F A-MMBD4448H-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 整流二极管 整流二极管
描述 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
反向漏电流Ir 100nA 100nA
反向电压Vr 80V 80V
正向电压Vf 1.25V 1.25V
正向电流If 250mA 250mA
工作温度-结 -65℃~150℃ -65℃~150℃
反向恢复时间Trr 4ns 4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBD4448HW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23 4ns 100nA 80V 1.25V 250mA

暂无价格 0 当前型号
MMBD4448H-7-F Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23 4A 80V 80V 250mA 1.25V 100nA 4ns -65℃~150℃

¥0.6314 

阶梯数 价格
80: ¥0.6314
200: ¥0.2865
307 对比
BAS16E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 16 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

暂无价格 0 对比
MMBD4448H-7 Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-23 4ns 100nA 80V 1.25V 250mA

暂无价格 0 对比
BAS21E6327HTSA1 Infineon  数据手册 RF二极管

BAS 21 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 车规

暂无价格 0 对比
MMBD4448HW-7 Diodes Incorporated  数据手册 整流二极管

SOT-323 4ns 100nA 80V 1.25V 250mA

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售