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MJD31C-13  与  MJD31CT4G  区别

型号 MJD31C-13 MJD31CT4G
唯样编号 A-MJD31C-13 A-MJD31CT4G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 MJD31C Series 100 V 3 A 1.5 W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 DPAK
功率耗散Pd 15W 1.56W
VCBO 100V 100V
工作温度 -55℃~150℃ -65℃~150℃
特征频率fT 3MHz 3MHz
VEBO 6V 5V
集电极连续电流 3A 3A
集电极-射极饱和电压 1.2V 1.2V
直流电流增益hFE 10 10
集电极-发射极最大电压VCEO 100V 100V
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MJD31C-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

TO-252 15W NPN 100V 3A 1.2V 10 3MHz

暂无价格 0 当前型号
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¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.397
1,496 对比
MJD31CQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

1.2V 10 TO-252-3 15W NPN 100V 3A 3MHz 车规

暂无价格 0 对比
MJD31CT4G ON Semiconductor 通用三极管

DPAK 1.56W NPN 100V 3A 1.2V 10 3MHz

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