MGSF1N02LT1G 与 DMN2005K-7 区别
| 型号 | MGSF1N02LT1G | DMN2005K-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-MGSF1N02LT1G | A36-DMN2005K-7 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | SOT-23-3 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 350mW(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 300mA(Ta) | ||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.8V,2.7V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 1.7Ω@200mA,2.7V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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3,849 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -65°C~150°C(TJ) 20V 300mA(Ta) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -65°C~150°C(TJ) 20V 300mA(Ta) |
￥2.436
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.9012
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1,485 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
