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MBRD660CTT4G  与  VS-MBRD660CTTR-M3  区别

型号 MBRD660CTT4G VS-MBRD660CTTR-M3
唯样编号 A-MBRD660CTT4G-1 A-VS-MBRD660CTTR-M3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SBD肖特基二极管 SBD肖特基二极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-2(DPAK) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
二极管配置 - 1 对共阴极
反向漏电流Ir - 100uA @ 50V
反向电压Vr - 60V
正向电压Vf - 700mV @ 3A
二极管类型 - 肖特基
电流-平均整流(Io)(每二极管) - 3A
速度 - 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
工作温度-结 - -40°C ~ 150°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MBRD660CTT4G ON Semiconductor  数据手册 SBD肖特基二极管

TO-252-2(DPAK)

暂无价格 0 当前型号
VS-MBRD660CTTR-M3 Vishay  数据手册 SBD肖特基二极管

100uA @ 50V 60V TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 700mV @ 3A

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