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IRLZ44ZSTRLPBF  与  STB55NF06T4  区别

型号 IRLZ44ZSTRLPBF STB55NF06T4
唯样编号 A-IRLZ44ZSTRLPBF A36-STB55NF06T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 80 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@31A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 80W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 51A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.323
100+ :  ¥3.465
1,000+ :  ¥3.322
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ44ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 80W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB55NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥4.323 

阶梯数 价格
20: ¥4.323
100: ¥3.465
1,000: ¥3.322
1,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.37 

阶梯数 价格
7: ¥7.37
100: ¥6.237
990 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
BUK7611-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7611-55A_SOT404 N-Channel 166W 175℃ 3V 55V 75A

¥14.9703 

阶梯数 价格
170: ¥14.9703
400: ¥11.2559
800: ¥9.2261
0 对比
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A

暂无价格 0 对比

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