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IRLZ44ZPBF  与  IPP055N03LGXKSA1  区别

型号 IRLZ44ZPBF IPP055N03LGXKSA1
唯样编号 A-IRLZ44ZPBF A-IPP055N03LGXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRLZ44ZPBF Series 55 V 51 A 13.5 mOhm HEXFET® Power MOSFET - TO-220AB MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.5mΩ@31A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3200pF @ 15V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 51A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 80W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1620pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ44ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 80W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IPP055N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP055N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMT6009LCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.2W(Ta),25W(Tc) ±16V TO-220-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 37.2A(Tc)

暂无价格 0 对比
IRLZ44Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 51A(Tc) ±16V 80W(Tc) 13.5mΩ@31A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
AUIRLZ44Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 51A 22.5mΩ 80W 车规

暂无价格 0 对比

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