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IRLZ34NSTRLPBF  与  BUK7635-55A,118  区别

型号 IRLZ34NSTRLPBF BUK7635-55A,118
唯样编号 A-IRLZ34NSTRLPBF A-BUK7635-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 0.06 Ohm 25 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),68W(Tc) 85W
输出电容 - 170pF
栅极电压Vgs ±16V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 30A 35A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
输入电容 - 650pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 35mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
180+ :  ¥10.5468
400+ :  ¥8.2397
800+ :  ¥6.7538
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ34NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 35mΩ@16A,10V N-Channel 55V 30A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
BUK7635-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7635-55A_SOT404 N-Channel 85W 175℃ 3V 55V 35A

¥10.5468 

阶梯数 价格
180: ¥10.5468
400: ¥8.2397
800: ¥6.7538
0 对比
AOB2618L AOS  数据手册 功率MOSFET

7A(Ta),23A(Tc) N-Channel ±20V 19 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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