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IRLZ34NPBF  与  IRLZ34N  区别

型号 IRLZ34NPBF IRLZ34N
唯样编号 A-IRLZ34NPBF A-IRLZ34N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@16A,10V 60mΩ
栅极电压Vgs ±16V 16V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 30A 27A
Ptot max - 56.0W
QG - 16.7nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.41
RthJC max - 2.7K/W
漏源极电压Vds 55V 55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 9.3nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 880pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 5V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLZ34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 35mΩ@16A,10V N-Channel 55V 30A TO-220AB

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阶梯数 价格
20: ¥14.6563
50: ¥12.2136
0 对比
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55V TO-220 60mΩ N-Channel 16V 27A

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