首页 > 商品目录 > > > > IRLU8743PBF代替型号比较

IRLU8743PBF  与  SPU30N03S2-08  区别

型号 IRLU8743PBF SPU30N03S2-08
唯样编号 A-IRLU8743PBF A-SPU30N03S2-08
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - I-Pak MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@25A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2170pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 IPAK(TO-251) TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.2 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 135W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 85uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLU8743PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 135W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@25A,10V N-Channel 30V 160A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IPU039N03LGXK Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRLU7843PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 161A 3.3mΩ 140W

暂无价格 0 对比
SPU30N03S2-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFU3709Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V IPAK (TO-251) 8.2mΩ N-Channel 20V 61A

暂无价格 0 对比
IRLU7843 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V IPAK (TO-251) 4mΩ N-Channel 20V 113A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售