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IRLU8743PBF  与  IRLU7843PBF  区别

型号 IRLU8743PBF IRLU7843PBF
唯样编号 A-IRLU8743PBF A-IRLU7843PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - I-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.39mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@25A,10V 3.3mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1.4V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 IPAK(TO-251) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 160A 161A
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA 2.3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V 4380pF @ 15V
高度 - 7.49mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 34 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 135W(Tc) 140W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 25 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V 50nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLU8743PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 135W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@25A,10V N-Channel 30V 160A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IPU039N03LGXK Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRLU7843PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 161A 3.3mΩ 140W

暂无价格 0 对比
SPU30N03S2-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFU3709Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V IPAK (TO-251) 8.2mΩ N-Channel 20V 61A

暂无价格 0 对比
IRLU7843 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V IPAK (TO-251) 4mΩ N-Channel 20V 113A

暂无价格 0 对比

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