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IRLU3636PBF  与  IRLU2905PBF  区别

型号 IRLU3636PBF IRLU2905PBF
唯样编号 A-IRLU3636PBF A-IRLU2905PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N- Channel 55 V 110 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - I-Pak
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8mΩ@50A,10V 27mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 143W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 I-PAK I-PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 99A 42A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF @ 50V 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 4.5V 48nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF @ 50V 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 4.5V 48nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLU3636PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A I-PAK

暂无价格 0 当前型号
IRLU2905PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

27mΩ@25A,10V N-Channel 55V 42A I-PAK

暂无价格 0 对比

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