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IRLU120NPBF  与  IRLU120N  区别

型号 IRLU120NPBF IRLU120N
唯样编号 A-IRLU120NPBF A-IRLU120N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 48 W 20 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-251AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 185mΩ@6A,10V 265mΩ
栅极电压Vgs ±16V 16V
封装/外壳 IPAK(TO-251) IPAK (TO-251)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 10A 6.9A
Ptot max - 39.0W
QG - 13.3nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.21
RthJC max - 3.2K/W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 6.7nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLU120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A IPAK(TO-251)

暂无价格 0 当前型号
IRLU120N Infineon  数据手册 功率MOSFET

100V IPAK (TO-251) 265mΩ N-Channel 16V 6.9A

暂无价格 0 对比

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