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IRLTS2242TRPBF  与  IRLMS6802TRPBF  区别

型号 IRLTS2242TRPBF IRLMS6802TRPBF
唯样编号 A-IRLTS2242TRPBF A-IRLMS6802TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 20 V 0.100 Ohm 16 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - MICRO-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ@6.9A,4.5V 50mΩ@5.1A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-TSOP Micro6™(TSOP-6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 5.6A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 905pF @ 10V 1079pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V 16nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 905pF @ 10V 1079pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 4.5V 16nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLTS2242TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 32mΩ@6.9A,4.5V P-Channel 20V 6.9A 6-TSOP

暂无价格 0 当前型号
IRLMS6802TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 50mΩ@5.1A,4.5V P-Channel 20V 5.6A Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比

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