IRLS4030TRLPBF 与 RSJ650N10TL 区别
| 型号 | IRLS4030TRLPBF | RSJ650N10TL | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-IRLS4030TRLPBF | A33-RSJ650N10TL-0 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@110A,10V | 9.1mΩ@32.5A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | 100W | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 180A | 65A | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | RSJ650N10 | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 200 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥45.4704
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998 | 对比 | ||||||||||||
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥14.6939
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749 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥50.9688
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200 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 145 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥50.9688
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27 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
