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IRLS4030TRLPBF  与  RSJ650N10TL  区别

型号 IRLS4030TRLPBF RSJ650N10TL
唯样编号 A-IRLS4030TRLPBF A-RSJ650N10TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@110A,10V 9.1mΩ@32.5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 370W(Tc) 100W
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 180A 65A
系列 HEXFET® RSJ650N10
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11360pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 998
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥45.4704
100+ :  ¥26.2819
1,000+ :  ¥16.6627
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55℃~150℃

¥45.4704 

阶梯数 价格
1: ¥45.4704
100: ¥26.2819
1,000: ¥16.6627
998 对比
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55℃~150℃

¥48.9757 

阶梯数 价格
4: ¥48.9757
10: ¥23.7836
30: ¥20.0081
50: ¥19.2511
100: ¥18.6857
200 对比
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55℃~150℃

暂无价格 145 对比
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55℃~150℃

¥48.9757 

阶梯数 价格
4: ¥48.9757
10: ¥23.7836
30: ¥20.0081
50: ¥19.2511
83 对比

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