IRLS4030TRLPBF 与 AOB292L 区别
| 型号 | IRLS4030TRLPBF | AOB292L | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLS4030TRLPBF | A-AOB292L | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 32 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@110A,10V | 4.1mΩ@20A,10V | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 13.5 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | ±20V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 180A | 105A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 6775 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - | ||||||||
| Trr(ns) | - | 50 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 48 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 370W(Tc) | 300W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 380 | ||||||||
| VGS(th) | - | 3.4 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11360pF @ 50V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 4.5V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 557 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 90* | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 749 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥45.4704
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998 | 对比 | ||||||||||||
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥14.6939
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749 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥50.9688
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200 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 145 | 对比 | ||||||||||||
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
￥50.9688
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27 | 对比 |
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