IRLR9343TRPBF 与 NTD2955T4G 区别
| 型号 | IRLR9343TRPBF | NTD2955T4G | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRLR9343TRPBF | A36-NTD2955T4G | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@3.4A,10V | 180mΩ@6A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) | 55W(Tj) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | D-PAK(TO-252AA) | TO-252-3,Dpak,SC-63 | ||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 20A | 12A(Ta) | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 660pF @ 50V | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | 30nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 660pF @ 50V | 750pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | 30nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 20,276 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta) |
￥2.409
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20,276 | 对比 | ||||||||||
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NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 73 | 对比 | ||||||||||
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SUD19P06-60-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18.3A(Tc) P-Channel 60 mOhms @ 10A,10V 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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