IRLR8726TRPBF 与 NVD5117PLT4G-VF01 区别
| 型号 | IRLR8726TRPBF | NVD5117PLT4G-VF01 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR8726TRPBF | A-NVD5117PLT4G-VF01 |
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.8mΩ@25A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 75W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | DPAK | TO252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 86A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2150pF @ 15V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 4.5V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLR8726TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥3.0612
|
2,496 | 对比 | ||||||||||
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IRLR8726TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 86A(Tc) ±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
PHD101NQ03LT,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 166W 175°C 1.9V 30V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO252 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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