IRLR8726TRLPBF 与 IRLR8726TRPBF 区别
| 型号 | IRLR8726TRLPBF | IRLR8726TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRLR8726TRLPBF | A-IRLR8726TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.8mΩ@25A,10V | 5.8mΩ@25A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 75W(Tc) | 75W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 86A(Tc) | 86A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 15V | - |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2150pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8726TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 86A(Tc) ±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLR8726TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 75W(Tc) 5.8mΩ@25A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 86A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
FDD8896 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
80W(Tc) 5.7m Ohms@35A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 17A N-Channel 30V 17A(Ta),94A(Tc) ±20V 5.7 毫欧 @ 35A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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