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IRLR8259TRPBF  与  IRFR3708TRPBF  区别

型号 IRLR8259TRPBF IRFR3708TRPBF
唯样编号 A-IRLR8259TRPBF A-IRFR3708TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 87 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.7mΩ@21A,10V 12.5mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 25V 30V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 87W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 57A 61A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 13V 2417pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V 24nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 13V 2417pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V 24nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8259TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.7mΩ@21A,10V N-Channel 25V 57A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRLR3103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 19mΩ@33A,10V N-Channel 30V 55A D-Pak

暂无价格 0 对比
STD40NF3LLT4 STMicro 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR3303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 57W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 31mΩ@18A,10V N-Channel 30V 33A D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD4136 AOS  数据手册 功率MOSFET

25A(Tc) N-Channel ±20V 11 mΩ @ 20A,10V TO-252,(D-Pak) 2.1W(Ta),30W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 25V

暂无价格 0 对比
IRFR3708TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 87W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 61A D-Pak

暂无价格 0 对比

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