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IRLR7843TRPBF  与  AOD4132  区别

型号 IRLR7843TRPBF AOD4132
唯样编号 A-IRLR7843TRPBF A-AOD4132
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 140 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 390
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@15A,10V 4mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6mΩ
Qgd(nC) - 17.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 161A 85A
Ciss(pF) - 3700
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 34
Td(off)(ns) - 40
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 30
VGS(th) - 3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4380pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 700
Qg*(nC) - 33
库存与单价
库存 0 359
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.6735
100+ :  ¥2.6471
1,000+ :  ¥2.2785
2,500+ :  ¥1.8
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR7843TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@15A,10V N-Channel 30V 161A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
790 对比
AOD4132 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 85A 100W 4mΩ@10V

¥3.6735 

阶梯数 价格
1: ¥3.6735
100: ¥2.6471
1,000: ¥2.2785
2,500: ¥1.8
359 对比
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暂无价格 0 对比
IPD90N03S4L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPD031N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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