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IRLR3636TRPBF  与  IRLR3636TRLPBF  区别

型号 IRLR3636TRPBF IRLR3636TRLPBF
唯样编号 A-IRLR3636TRPBF A-IRLR3636TRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 49 nC 140 W Hexfet® Power Mosfet - TO-252-3 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.39mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8mΩ@50A,10V 8.3mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs ±16V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 99A 99A
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF @ 50V 3779pF
高度 - 6.22mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 143W(Tc) 143W
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 45 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC @ 4.5V 49nC
正向跨导 - 31S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
IRF6810STRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 25V 16A(Ta),50A(Tc) ±16V 2.1W(Ta),20W(Tc) 5.2mΩ@16A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-4

暂无价格 0 对比
BUK7208-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7208-40B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 3V 40V 75A

¥8.0505 

阶梯数 价格
490: ¥8.0505
1,000: ¥6.2407
1,250: ¥5.1153
2,500: ¥4.6929
0 对比
IRLR3636TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W

暂无价格 0 对比
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 80A(Ta)

暂无价格 0 对比

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