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IRLR3636TRLPBF  与  TK60S06K3L(T6L1,NQ  区别

型号 IRLR3636TRLPBF TK60S06K3L(T6L1,NQ
唯样编号 A-IRLR3636TRLPBF A33-TK60S06K3L(T6L1,NQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 2.39mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ -
产品状态 - 在售
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 1V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2900 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 60 nC @ 10 V
封装/外壳 - DPAK+
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 99A 60A(Ta)
长度 6.73mm -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1.3V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF -
高度 6.22mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 43 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) 143W 88W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8 毫欧 @ 30A,10V
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET -
典型接通延迟时间 45 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC -
正向跨导 31S -
库存与单价
库存 0 1,734
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥8.3367
50+ :  ¥6.4107
100+ :  ¥5.7687
300+ :  ¥5.3374
500+ :  ¥5.2512
1,000+ :  ¥5.1841
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,734 对比
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N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,501 对比
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