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IRLR3636TRLPBF  与  IRLR3636TRPBF  区别

型号 IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF
唯样编号 A-IRLR3636TRLPBF A-IRLR3636TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 49 nC 140 W Hexfet® Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 2.39mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ 6.8mΩ@50A,10V
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 1V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
栅极电压Vgs - ±16V
封装/外壳 - D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 99A 99A
长度 6.73mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1.3V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF 3779pF @ 50V
高度 6.22mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 43 ns -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) 143W 143W(Tc)
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3779pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 45 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC 49nC @ 4.5V
正向跨导 31S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3636TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥7.3498 

阶梯数 价格
30: ¥7.3498
50: ¥5.6537
100: ¥5.0787
500: ¥4.705
1,000: ¥4.6283
1,734 对比
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥7.3498 

阶梯数 价格
30: ¥7.3498
50: ¥5.6537
100: ¥5.0787
500: ¥4.705
1,000: ¥4.6283
1,501 对比
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD079N06L3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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