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IRLR3636TRLPBF  与  IPD079N06L3GBTMA1  区别

型号 IRLR3636TRLPBF IPD079N06L3GBTMA1
唯样编号 A-IRLR3636TRLPBF A-IPD079N06L3GBTMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
宽度 2.39mm -
功率耗散(最大值) - 79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.3mΩ -
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 1V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4900pF @ 30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
封装/外壳 - TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 99A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 4.5V
长度 6.73mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1.3V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3779pF -
高度 6.22mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 43 ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
Pd-功率耗散(Max) 143W -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 34uA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
系列 HEXFET -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 45 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 49nC -
正向跨导 31S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3636TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 99A 8.3mΩ 143W

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥7.3498 

阶梯数 价格
30: ¥7.3498
50: ¥5.6537
100: ¥5.0787
500: ¥4.705
1,000: ¥4.6283
1,501 对比
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD079N06L3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比

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