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IRLR3410TRRPBF  与  IRLR3410TRPBF  区别

型号 IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRPBF
唯样编号 A-IRLR3410TRRPBF A33-IRLR3410TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 52 W 34 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 79W(Tc)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 1,332
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥7.6851
50+ :  ¥5.9124
100+ :  ¥5.3183
500+ :  ¥4.9254
1,000+ :  ¥4.8392
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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¥2.607 

阶梯数 价格
20: ¥2.607
100: ¥2.013
1,000: ¥1.749
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IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥7.6851 

阶梯数 价格
20: ¥7.6851
50: ¥5.9124
100: ¥5.3183
500: ¥4.9254
1,000: ¥4.8392
1,332 对比
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¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
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暂无价格 0 对比

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