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IRLR3410TRRPBF  与  AOD478  区别

型号 IRLR3410TRRPBF AOD478
唯样编号 A-IRLR3410TRRPBF A-AOD478
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 52 W 34 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 16
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V 140mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V - 152mΩ
Qgd(nC) - 2.4
栅极电压Vgs ±16V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A 11A
Ciss(pF) - 445
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
Trr(ns) - 21
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 45W
Qrr(nC) - 97
VGS(th) - 2.8
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
Coss(pF) - 29
Qg*(nC) - 5.1 Ohms
库存与单价
库存 0 7
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.5323
100+ :  ¥1.9926
1,000+ :  ¥1.5583
2,500+ :  ¥1.2155
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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20: ¥2.607
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¥7.6851 

阶梯数 价格
20: ¥7.6851
50: ¥5.9124
100: ¥5.3183
500: ¥4.9254
1,000: ¥4.8392
1,332 对比
AOD478 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
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