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IRLR3410TRPBF  与  STD6NF10T4  区别

型号 IRLR3410TRPBF STD6NF10T4
唯样编号 A-IRLR3410TRPBF A3-STD6NF10T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak

暂无价格 2,000 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A

¥2.09 

阶梯数 价格
30: ¥2.09
100: ¥1.606
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.32
4,812 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak

暂无价格 0 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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